器件在 PowerPAK® 1212‑8S 封裝中提供低至 0.95 mΩ 的 RDS(ON) 和 29.8 mΩ *nC 的改進 FOM
賓夕法尼亞，MALVERN。 - 2021年5月24日- Vishay公司（NYSE：VSH）推出一種多功能的新30 V n溝道TrenchFET ®，提供增加的功率密度和效率為代V的功率MOSFET兩者中分離和非隔離拓撲。Vishay Siliconix SiSS52DN采用 3.3 mm x 3.3 mm 耐熱增強型 PowerPAK ® 1212-8S 封裝，在 10 V 時具有0.95 m Ω 的同類最佳導(dǎo)通電阻，比上一代產(chǎn)品提高了 5%。此外，該器件在 4.5 V 時提供 1.5 m Ω 的 導(dǎo)通電阻，而其 29.8 m Ω*nC 導(dǎo)通電阻乘以 4.5 V 的柵極電荷（開關(guān)應(yīng)用中使用的 MOSFET 的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù) (FOM)）是市場上最低的之一。
SiSS52DN 的 FOM 比上一代設(shè)備提高了 29%，這轉(zhuǎn)化為降低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中節(jié)省能源。
SiSS52DN 非常適用于同步整流的低側(cè)開關(guān)、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)槽拓撲、OR 環(huán) FET 以及服務(wù)器、電信和射頻設(shè)備中的電源負載開關(guān)。通過在隔離和非隔離拓撲中提供高性能，MOSFET 簡化了設(shè)計人員對這兩種拓撲的部件選擇。
該設(shè)備經(jīng)過 100% R G和 UIS 測試，符合 RoHS 標準且不含鹵素。
SiSS52DN 的樣品和量產(chǎn)數(shù)量現(xiàn)已上市，交貨時間為 12 周。
Vishay 制造了世界上最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件產(chǎn)品組合之一，這些產(chǎn)品對汽車、工業(yè)、計算、消費、電信、軍事、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計至關(guān)重要。Vishay 為全球客戶提供服務(wù)，是技術(shù)的 DNA。TM Vishay Intertechnology, Inc. 是一家在紐約證券交易所 (VSH) 上市的財富 1,000 強公司。
來源：https://www.vishay.com/
